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  集成电路搞产业投资,牵涉到的政策和资金都不是一家之事。

  上午和下午连续两场会议基本敲定了推动的意愿。

  仅在傍晚,方卓和江上洲又被通知第二天继续组团跟着到各部门开会,而在晚餐过后,方卓又接到大秘的询问电话,确认后续数天的行程安排。

  方卓和长三角商协会有个访欧经贸活动安排,这个是已经提前打过招呼的,电话里就在考虑不要耽误了另外的事情。

  不过,他在来京之前就确定将会在30号率队飞往欧洲,开启为期两周的交流活动,时间上尽量避开欧洲圣诞节的假期。

  晚上无会,方卓和一众人算是心情稍微放松一些的讨论具有建设性的建议。

  可是,讨论到一半,江上洲注意到刚刚接了电话的方总脸色有点微妙。

  “怎么?”江上洲询问。

  “好像是有人闻着味来的想交朋友。”方卓一边这么说,一边拿起外套。

  江上洲皱眉道:“我和你一起去?有的话我说比较好。”

  “被我婉拒了。”方卓笑道,“我说我晚上有会,人家也没说什么。”

  江上洲颔首,领导虽然没安排会,但方总找上门总是没问题的。

  方卓走了两步,向邱慈云要了份冰芯“45纳米级大规模集成电路大生产关键技术研究”的材料,又对江上洲笑道:“我换个部门,去找发改的领导聊聊我们的进展。”

  相较于跑政策要资金,没准这个还更受领导欢迎。

  按照内部规划,冰芯明年第三季度会尝试45nm的风险量产,如果一切顺利,年底或许能实现这一制程的量产,目前已经与大客户在进行相关合作。

  从工艺演进上来说,缩小栅极宽度一直是突破制程的方法,这一点在65nm-45nm的研发上也相对顺遂,梁孟淞06年离开台记的时候,台记已经试产出45nm芯片,具体经验仍然行之有效。

  只是……

  “我们在45nm工艺研发上打算采用低K电介质,这一点和世界主流厂商都是一致的,尤其,今年我们刚刚迎来梁孟淞博士的团队,很确定台记在45和40都是这一做法。”

  “但是45/40nm以后就需要引进高K电介质材料了。”

  “哦,领导们,这个低K/高K电介质是什么呢?”

  “K就是介电常数,是表示绝缘能力特性的一个系数,一般这个常数大于3.9,我们就叫高K,小于就是低K,不过IBM把标准定在了2.8,业界也大多以2.8作为低k电介质的K值上限。”

  “IBM现在虽说找到了高K电介质材料,但它没有在45nm产品上采用这一工艺,很可能会在下一代的32nm上引用。”

  “说到这一点啊……”

  方卓坐在发改的办公室里顿了顿,扫视努力睁大眼听自己阐述材料的领导们,叹了口气:“说到这一点,可能我就得再多说一说了。”

  一位晚上临时加班的司长听到这里,终于忍不住插嘴道:“方总,我们大概理解这个低K电介质的关键工艺了,是不是可以谈谈冰芯明年更具体的规划?”

  “刘司长,这一点很重要,嗯,好吧,回头我再递一份详细材料,这里就不占用大家时间了。”方卓翻了翻文件。

  会议室里的数位领导轻轻舒了口气,有的喝茶,有的放笔。

  “冰芯明年的规划,其实不能光说是明年的规划,从今年十月份开始,我们冰芯就投入了更多的研究经费,旨在提升我们的短板。”方卓认真的说道,“更直白的说吧,也是向竞争对手台记学习。”

  “我们在晶体管结构、高迁移率通道以及低尺寸材料和器件方面都有所立项。”

  “关于晶体管结构,我要简单的谈三点。”

  方卓竖起三根指头,准备谈一谈至关重要的FinFET结构。

  不知为何,随着方总的声音,办公室里的气氛悄然变得有些无奈,冰芯确实很重要,但这些技术层面的问题是不是不用由这位来阐述?

  但是吧,毕竟是方总,他一年难

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